20 Feb Hochpräzise Wafer-Dickenmessung
Das Weißlicht-Interferometer IMS5420-TH für die industrielle Dickenmessung von monokristallinen Siliziumwafern kann dank breitbandiger Superlumineszenzdiode (SLED) für undotierte, dotierte sowie für hochdotierte Si-Wafer eingesetzt werden. Der Dickenmessbereich erstreckt sich nach Angaben des Herstellers Micro-Epsilon von 0,05 bis zu 1,05 mm. Die messbare Dicke von Luftspalten soll bis zu 4 mm betragen.
Das Interferometer besteht aus einem kompakten Sensor und einem Controller, der in einem robusten, industrietauglichen Gehäuse untergebracht ist. Eine im Controller integrierte aktive Temperaturregelung sorgt laut Hersteller für eine hohe Stabilität der Messung.
System misst präzise Dicken an unterschiedlich dotierten Silizium-Wafern. Das Bild: Micro-Epsilon
Erhältlich ist das Interferometer entweder als Dicken- oder als Multipeak-Dickenmesssystem. Das Multipeak-Dickenmesssystem kann die Dicke von bis zu fünf Schichten messen, zum Beispiel Waferdicke, Luftspalt, Folierung und Beschichtungen größer 50 µm. Für Dickenmessungen bei schwierigen Umweltbedingungen ist nach Angaben des Herstellers der Controller IMS5420IP67 mit IP67 und Edelstahlgehäuse sowie passenden Lichtleitern und Sensoren verfügbar.
Präzise Waferdickenmessung
Aufgrund der optischen Transparenz, die Siliziumwafer im Wellenlängenbereich von 1100 nm vorweisen, können die IMS5420-Interferometer die Dicke präzise erfassen. In diesem Wellenlängenbereich weisen sowohl undotiertes Silizium als auch dotierte Wafer eine ausreichende Transparenz auf. Dadurch lassen sich Waferdicken bis zu 1,05 mm erfassen. Die messbare Dicke des Luftspalts beträgt sogar bis zu 4 mm.
Prinzip der interferometrischen Waferdickenmessung. Bild: Micro-Epsilon
Weitere Informationen vom Hersteller
Quelle und Bild: www.micro-epsilon.de
