27 Mai InGaAs-APDs im SMT-Format
Zwei neue kompakte InGaAs-APDs sind besonderes für Lidar und Abstandsmessung geeignet.
Die beiden InGaAs-Avalanche-Photodioden (APD) in robusten Keramik-SMT-Gehäusen sind für den Spektralbereich 1000 bis 1700 nm ausgelegt. Die InGaAs-APDs C30645L-080 und C30662L-200 zeichnen sich laut Hersteller durch eine hohe Quantenausbeute, hohe spektrale Empfindlichkeit, geringes Rauschen und ein sehr gutes Signal-Rausch-Verhältnis aus. Sie sind für die Wellenlänge 1550 nm optimiert und eignen sich für den Einsatz in augensicheren Laserentfernungsmessern.
Die nur 3 x 3 mm2 großen Gehäuse wurden für SMT-Produktionslinien entwickelt und können kosteneffizient in großen Stückzahlen durch automatisierte Systeme assembliert werden. Sie lassen sich somit präzise an Referenzflächen ausrichten und sind damit den meisten APDs in TO-Gehäusen weit überlegen, so der Hersteller. Darüber hinaus erleichtern die aktiven Flächen von 80 µm und 200 µm die optische Integration. Es besteht zudem die Möglichkeit, optische Filter in die Gehäuse zu integrieren, um das Signal-Rausch-Verhältnis der InGaAs-APDs weiter zu optimieren. Zum Beispiel wenn Objekte über große Entfernungen erfasst werden müssen.
Anwendungen liegen laut Hersteller für die kompakten APDs in einer kosteneffiziente Produktion neuer Geräte für Lidar- und ToF-Systeme in der Industrie und für den Verbrauchermarkt. Daneben zählen zu den Hauptanwendungen auch die optische Zeitbereichsreflektometrie (OTDR) sowie optische Kommunikationssysteme und Laserscanning.
Quelle und Foto: www.excelitas.com
